تحقیق در مورد نیمه هادی ها و پیوند پی - ان (p-n junction)

تحقیق در مورد نیمه هادی ها و پیوند پی - ان (p-n junction) • • • • °°• تحقیق در مورد نیمه هادی ها و پیوند پی ان تحقیق در مورد نیمه هادی ها و پیوند پی ان › آشناییباانواعآشنایی با انواع نیمه هادی ها و پیوند الکترو ولت › آشناییباانواع · معرفی نیمه ­هادی­ های از نوع و اتم از بارهای الکتریکی مثبت و منفی به میزان برابر تشکیل شده و از نظر الکتریکی خنثی است پروتون­ها بارهای الکتریکی مثبت را تشکیل داده و در هسته اتم قرار می­گیرند الکترون­ها در مدارهای مختلف اطراف هسته می ­چرخند › نیمه هادی نوع و معرفی کامل انواع نیمه هادی‌ها به همراه › · این نوع نیمه هادی را نیمه هادی نوع می‌نامند این نوع از نیمه هادی همان بخش از نیمه هادی نوع و است که در ساخت ادوات نیمه هادی کاربرد دارد و در ابتدای جلسه به آن اشاره شد اما این نوع نیمه هادی نمی‌توانـد برای شما به تنهایی یکی از آن ادوات نیمه هادی را بسازند › پیوندپیوند — به زبان ساده دانلود فیلم آموزش رایگان › پیوند اساس پیوند نفوذ در پیوند پیوند بایاس صفر حالت‌های الکترون در نیمه‌هادی‌ها اثر بایاس روی الکترون‌ها در ناحیه تهی نیمه‌هادی‌های نوع و ، از نظر الکتریکی خنثی هستند یعنی بارهای مثبت و منفی در این نوع نیمه‌هادی‌ها، اثر یکدیگر را خنثی می‌کنند اما اگر این دو نیمه‌هادی به یکدیگر متصل شوند، رفتار متفاوتی از خود نشان خواهند داد که به نام «پیوند » یا شناخته می‌شود شکل زیر اتصال دو نیمه‌هادی نوع و را نشان می‌دهد در لحظه ابتدایی اتصال نیمه‌هادی همانطور که بیان شد در پیوند ، هم بارهای مثبت حفره‌ها و هم بارهای منفی الکترون‌های آزاد امکان جابجایی دارند حرکت بارهای مثبت و منفی یا الکترون‌ها و حفره‌ها در طول پیوند را «نفوذ» می‌نامند عرض لایه‌های و به ترتیب به چگالی بار پذیرنده و چگالی بار دهنده در ناحیه پیوند بستگی دارد هرچه مهاجرت الکترون‌ها و حفره‌ها میدان الکتریکی ایجاده شده به وسیله فرآیند نفوذ،‌ یک «اختلاف پتانسیل داخلی» در قسمت میانی پیوند ایجاد می‌کند این پتانسیل مدار باز یا بایاس صفر، به صورت زیر محاسبه می‌شود که در آن، ولتاژ پیوند بایاس صفر و ولتاژ حرارتی است که در دمای اتاق برابر با فرض می‌شود الکترون‌ها در یک جسم، حالت‌های مختلفی دارند که به آن، «حالت‌های الکترون» گفته می‌شود تعامل اتم‌ها در شبکه یک جسم، این حالت‌ها را به «باند انرژی» تبدیل می‌کند باندهای انرژی به وسیله «گاف‌های انرژی» از یکدیگر جدا می‌شوند در گاف‌های انرژی،‌ هیچ حالتی از الکترون وجود ندارد به این معنی که یک الکترون هرگ حال فرض کنید که به این پیوند یک ولتاژ اعمال کنیم با تغییر بایاس ولتاژ اعمال شده، ناحیه تهی پیوند و سطح انرژی الکترون‌ها و حفره‌ها تغییر می‌کند در ادامه به بررسی اثر بایاس روی ولتاژ پیوند می‌پردازیم › › پیوندپی–انپیوند پی–ان ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد › › پیوندپی–ان یک اتصال پی‌ان نماد مدار نشان داده شده است مثلت به طرف «پی» مربوط می‌شود پیوند به انگلیسی اتصال یک نیم‌رسانای مثبت با یک نیم‌رسانای منفی است این پیوند را می‌توان با روش کاشت یون ، نفوذ دادن آلاینده در نیم‌رسانا، یا ارونشست ساخت داده‌های کتابخانه‌ای کتابخانه‌های ملی آلمان اسرائیل ایالات متحده آمریکا › › نیمه‌هادی نوع پی ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد › › نیمه‌هادی نوع پی گونه‌ای از نیمه‌هادی‌ها است که به وسیلهٔ آلایش یک نیمه‌رسانای با اتم‌های پذیرنده به دست می‌آید و از این راه حامل‌های بار آزاد مثبت حفره‌ها در نیمه‌هادی افزایش می‌یابند در لایهٔ آخر نیمه‌هادی‌های خالص مانند سیلیسیم یا ژرمانیم تنها چهار الکترون › › نیمه رسانای نوع و فیلم افزودن ناخالصی به نیمه هادی ها › › ساختار کریستالی سیلیکون و نحوه افزودن ناخالصی به آن برای افزایش رسانایی در تصویر زیر ساختار کریستالی سیلیکون نمایش داده شده است که در آن اتم های سیلیکون از طریق پیوندهای کووالانسی به هم متصل شده اند خطوط افقی و عمودی در شکل زیر نماد این پیوندها هستند › › نیمه هادی نوع و و پیوند › › نیمه رسانای نوع و فیلم افزودن ناخالصی به نیمه هادی ها از کانال مجله اینترنتی کوبدار

---

تحقیق در مورد نیمه هادی ها و پیوند پی - ان (p-n junction)
دسته بندی : سایر رشته ها ...
تگ : نیمه هادی ها,مهندسی مواد,خواص الکترونی مواد,پیوند پی ان,ترانزیستور
تحقیق در مورد نیمه هادی ها و پیوند پی - ان (p-n junction)

دیودها پیش از ترانزیستورها ابداع شدند و برای یکسوسازی مورد استفاده قرار گرفتند، به این ترتیب که جریان متناوب را می توان به واسطه ی بهرهگیری از خاصیت یکسویی دیودها به جریان مستقیم تبدیل کرد جریان معمولاً فقط در یک جهت به صورت مؤثر در دیود شارش می کند، و شارش جریان در جهت مخالف سد می شود. از این خاصیت دیودها در منابع تغذیه و نیز در بسیاری از مدارهای دیگر مانند مدارهایی که در رادیوها و محدودسازها یافت می شوند، استفاده می شود. از آن جا که رسیدن به درکی از دیودها برای تشریح مبانی ترانزیستورها نیاز است، دیودها را اغلب به عنوان زیربنای ترانزیستور مطرح می کنند. بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر میباشند.

 

• ارائه شده در دانشگاه صنعتی شریف 
• قابل ارائه برای رشته های مهندسی مواد و فیزیک  و مهندسی برق
• قابل ارائه برای درس های خواص الکترونی مواد، اصول مهندسی سرامیک، فیزیک حالت جامد و ...

download - دانلود